SK hynix představuje iHBM: nové chlazení pro paměti příští generace sníží tepelný odpor o 30 %
SK hynix oznámila řešení iHBM, které integruje chladicí prvky přímo do balíčku paměti HBM – krok, který může zvýšit spolehlivost čipů v datových centrech s umělou inteligencí. Klíčovým parametrem je snížení tepelného odporu o 30 procent.
Chladicí prvky (ICE) jsou umístěny v oblasti D2D PHY, kde je koncentrace tepla nejvyšší. Jsou vyrobeny z elektricky nevodivého, tepelně vodivého materiálu na bázi křemíku. Řešení využívá technologii MR-MUF (Mass Reflow Molded Underfill), kterou SK hynix již používá u stávajících produktů.
Firma zdůrazňuje vysokou kompatibilitu s existujícími architekturami SiP, takže zákazníci nebudou muset výrazně upravovat své konstrukční návrhy. iHBM bude nasazeno v pamětech HBM5 a dalších produktech příští generace určených pro vysokovýkonné počítače a datová centra.
